用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
! L; w: N  b" |$ ]1 O% k請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
9 O, [' m/ V+ r, Y8 X. z7 n% ?8 |
# p) r! o% @$ r6 K7 X感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
; }. p. B& ~2 X4 Y3 t6 e但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
; q6 b( Z7 K. J% ]2 G1 ZBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
' `; }8 @8 ^7 ^) K0 [9 X也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
) u% ?( |: g8 t& p+ v9 V使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
: e; j$ L6 O5 N+ i: c/ L
哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
/ V& P; F2 O) n7 N# C5 u9 U.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
) y2 z7 \+ t, [, A3 z5 R2 R....
.....
.......
.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
7 l/ v& [9 ^: f' h+ e# P如有錯誤，請大大們指教~~~

對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
5 P( ^5 B5 ~" c3 Q+ b* _而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
* n) S9 S1 g& P0 m' |4 @8 Y
比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值