用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
' a2 v  g6 l- }) ?( {% `# C請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
( q. ^/ k' x# a% H( y+ ?9 P
感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
; E. r: |1 y( W3 y4 B2 X9 w' q但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
! k3 I5 b% R' b& S) |" |* |Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
2 ]# W0 `! ?0 T, Ispice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
5 L. G8 H) {7 ~5 {/ I6 J% o使用這種元件並不需要多加光罩,
( O0 k) @' x4 s) `5 x* N建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
& Y: s3 m4 P/ W2 F
哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
5 U( g' r6 h/ e" i8 K  C' k.option dccap post
* m! x6 [) g: z- u.print CGG=LX18(mn1)
) C& r7 z3 G- G.dc vin 0 5 0.1
....
.....
.......
.end
5 s9 E4 |# Z/ L  B3 W# I6 M! M* r% a然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
5 Q6 B6 L" B; F* p. O, U8 W0 d如有錯誤，請大大們指教~~~

9 _2 l. P8 W" H7 W) O( `對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值