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[問題求助] 請問一下mos的臨界電壓vt?

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1#
發表於 2008-3-24 14:25:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve' y/ ]+ Q/ f. r) F# Z* D* w

3 c( H5 \0 I1 L7 o3 u# b( e* E但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值" W8 {) R3 \. [3 T% F! k* a

  [( r" f3 `+ P! t供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化
$ @% l" r. _' i+ {3 J2 h0 B! K9 L- ?
5 d$ @( |6 v% P" W( r這樣的話大家是怎決定的
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2#
 樓主| 發表於 2008-3-24 15:42:50 | 只看該作者
對了尤其是PMOS,飄移更多- U& K) K& @% A0 x3 A
) U* b9 q3 H: E
NMOS還在0.75左右9 {4 s4 x- n" \/ ^# J

; \* [/ N: F& I" W
3#
發表於 2008-3-25 10:22:39 | 只看該作者
對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
& B1 g( X# {$ `5 G/ E/ \2 H# I最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U 3 j  _, Q1 I+ M, i1 o6 [
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
; o( F$ b# h! b' _2 S* `; o" S3 w/ t所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
" k+ f& o5 B4 @, T5 f課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣% ]* }' s8 ]1 L$ d( N! M
一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常
4#
發表於 2008-3-29 02:21:40 | 只看該作者
不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...
5#
發表於 2008-3-29 16:02:15 | 只看該作者
在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
; ]1 Y* i' T  ~# X, o, \氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt' g& @* k  {5 e/ ~5 x: ^
從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能
" h" L0 f0 q5 z* l/ f( i; h! @2 O! Q9 q0 l0 S2 P
查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth
6#
 樓主| 發表於 2008-4-2 16:07:55 | 只看該作者
因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦
( u2 c' t+ }/ i7 ]
' @( c8 H( h0 U* t) ymodel file要看哪一項目呢?
7#
發表於 2008-4-3 18:49:10 | 只看該作者
Vt 沒有一定的定義
& N' g+ j, Z" A而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題( ~0 O  z( |* \& w% {

! j% b7 ^, n! N"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
: i5 b+ l$ a% l: w3.3v 遠大於 0.7V- F, K* \& I( e  c8 D* |
其實不用太Care7 g$ L2 A. @) T' H  F+ l

) a0 f0 T' W( r* i% dVT對你的電路真的那麼重要嗎?
8#
發表於 2008-4-8 10:23:34 | 只看該作者

~

所以说模拟电路是感性的~~
9#
發表於 2008-4-11 15:28:02 | 只看該作者
因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變,design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響
10#
發表於 2015-12-24 19:46:06 | 只看該作者
. J( ]! ^( c. U2 k' L" L( `
感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~
11#
發表於 2015-12-24 21:51:41 | 只看該作者
VTH本來就是一個變數,不是嗎?
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