請問一下mos的臨界電壓vt?

andywu

通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve

但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值

8 c% Y" L+ L* r# o' E- x( |供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化
' r  z& M( g; C4 m% P# ?
) x- F0 P# V& f2 d$ [這樣的話大家是怎決定的

andywu

對了尤其是PMOS,飄移更多

; _5 c5 O" D  f8 k1 \/ qNMOS還在0.75左右

+ z9 n' b4 p$ A# }

monkeybad

對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
  ~! q! j, H) C最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
8 R! r% ~5 D/ `3 U$ d, L& e  X這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
; D0 \( n4 Q- ?: I+ m所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
$ a5 A+ m# Z: k5 _( q  W$ F  M# K課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常

gimayon

不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...

ssupinma

在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
5 ^- i% S6 {* \' `: D5 i氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
7 `6 o# o" u% b2 P' L4 O) d1 t從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能
+ N6 B; ?" o( L2 C& g2 ^* E: A$ T
" e1 _, S1 G+ g* j4 X查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth

andywu

因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦

1 T4 s" h' L! g5 Z1 r# W) K8 imodel file要看哪一項目呢?

alab307

Vt 沒有一定的定義
而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題
) k5 \8 l. Q9 Z- ?6 w
"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
+ _  ~+ r/ A! T7 L3.3v 遠大於 0.7V
其實不用太Care
9 |8 R: R- R( S+ w3 h0 T9 W3 z
VT對你的電路真的那麼重要嗎?

122013137

所以说模拟电路是感性的~~

liangshangquan

因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響

k9966809

感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~

engineer

VTH本來就是一個變數，不是嗎？