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[問題求助] 關於GUARD RING的疑問

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1#
發表於 2008-4-21 21:22:45 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我想請問一下各位LAYOUT高手
" X# S4 w% ~) H; Y+ h9 I$ r8 d/ T' J+ ]. s
我之前有去參加過奇景盃比賽
+ D8 a4 |, ]0 x8 k) N' e# F# P4 \6 s
當我拿到電路圖畫LAYOUT時4 {8 Z' @7 v0 x1 c. F
+ x- R: J1 _  T  r! A; v8 g
我發現別人都會用GUARD RING去將他框起來
/ @" G& H$ s- f. i/ r" ]
7 _0 T2 F8 \9 q. D0 F5 H! A小弟我剛學而已
: @! [7 n1 [. U4 o! h* Q1 r/ ?
0 B7 k* n! A, U5 @" \可以請教各位大大
2 P1 S$ t  ?" \+ q8 y; \  c) T" G% U0 _" w
在什麼狀況之下需要圍GUARD RING呢??
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2#
發表於 2008-4-22 09:25:58 | 只看該作者
通常是畫好一個cell時,都會圍一圈的guard ring$ x1 ~) S$ G7 w/ C3 l
很少有沒有圍的
3#
發表於 2008-4-22 11:25:19 | 只看該作者
圍guard ring 可以防止latch up 和 防止雜訊干擾 所以一定會圍
4#
發表於 2008-4-25 21:00:50 | 只看該作者
那我想要順便請問一下....
9 O' y( L8 t) |0 a! a8 N" [3 H" ]  p% }$ }! g5 b
如果在lay電阻...需要用到guard ring嗎
. A& h' |& {) w: G( ?. U4 N1 ^& s! ^, V& k
如果需要  以poly電阻來說的話 應該使用  P 或者 N guard ring呢?
5#
發表於 2008-4-28 07:30:41 | 只看該作者
有的話外圍一圈poly...或者是不圍...你要放GuardRing裡面也可以...
4 y" _# i$ }1 L如果是比較準一隻隻排的記得加dummy' T* ]9 n+ F: L' r( v. }
( E8 G* c: J. |# A" G- N2 }$ z4 Q
至於第一圈GuardRing通常代表mos的B極,Pmos的N-GuardRing無特別標示的話通常是接Vdd,Nmos的P-GR就GND' e( G2 F2 P& W+ \+ ^
有為第二圈主要是加大距離減少干擾
4 s  E. v! o7 N, t4 U5 Y  Z: X
( n. I+ w2 K9 ~! Q3 e. s4 g% l有錯的話麻煩指證
6#
發表於 2008-5-21 13:04:43 | 只看該作者
原帖由 小緯仔 於 2008-4-25 09:00 PM 發表 # \% Y6 d7 |9 {2 ?2 M" \) ~7 Z
那我想要順便請問一下....
$ s( [/ o% j# I! ^4 q  d3 I- ~1 r! z! `3 e" P/ o
如果在lay電阻...需要用到guard ring嗎
- L& e9 @1 Z8 V+ i* L) `5 U8 r! \, J7 J
如果需要  以poly電阻來說的話 應該使用  P 或者 N guard ring呢?
# i- @6 l5 k" ^9 ?  Q" Q

- L  Z' ^% B! [8 t$ d0 P. c+ q+ E: b3 c( Fpoly res也是有分P or N type的
8 }( W$ g. g; X: \; Q, }9 |, h正常應該都用p+ poly res,這樣就要圍n guard ring; b+ E. M8 A1 Q+ E7 H
也就是p+poly res要畫在nwell裡面。
/ Z$ J  p' n  a2 o# l不過poly 圍guard ring應該不是為了latch up考量,他是要電阻與psub用nwell隔離。7 @5 F& V3 k; S: @
因為一般認為psub雜訊比較多。# W8 V1 G6 X# A3 {1 a
還有要看command file是check 幾端的電阻(有2有3)1 I" d" I8 D* r0 c" D  R8 O
如果是3的話就一定要圍guard ring 也就是body 端。
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