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[問題求助] 製作Qcell 時無法加上opc

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1#
發表於 2008-5-8 17:52:26 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
10Chipcoin
使用cadence IC5141版本製作Qcell* M1 P& B% ^- c2 U+ v
但是製作Qcell時無法在contact四個角加上opc
3 ~: x* d8 D+ w因為Qcell 製作mos的layer層只有poly, od, cont, mt1, 四層並無opc這層
9 G- H, D/ s' ?! I+ ?- O請問各位高手有辦法在製作Qcell時增加layer層嗎?7 E/ m- D/ O* H, V+ S
還是有辦法寫一個類似增加metal dummy的程式9 V0 `, b% I! E+ v; \0 [4 l
可以在所有的contact 四個角增加opc 這層layer
/ @$ N2 p" r$ r' O1 o希望高手能幫幫忙,謝謝

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忽然发现上次的留言没写完,惭愧。 其实Qcell本质上是一个technology文件中Device子类中的一个CDS系统预定义器件的图形化录入工具。MOS是属于CdsMOS子类,如果不在TF文件中使用tcCeateCDSDeviceClass()来生成自定义的mos器件类的话,好像系统并没有提供多个CONTACT,或其 ...

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2#
發表於 2008-5-8 17:52:27 | 只看該作者
忽然发现上次的留言没写完,惭愧。 6 G/ Q  s2 X$ j0 I& R& |
其实Qcell本质上是一个technology文件中Device子类中的一个CDS系统预定义器件的图形化录入工具。MOS是属于CdsMOS子类,如果不在TF文件中使用tcCeateCDSDeviceClass()来生成自定义的mos器件类的话,好像系统并没有提供多个CONTACT,或其它层的输入来完成楼主所说的OPC.而自定义器件,又有可能会在邻接(abutment),P&R的时候出现问题,所以感觉还不如使用PCELL做来的方便。' {1 Q7 e. o! e- }# y
继续关注中,有谁知道怎么处理这个吗?
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3#
發表於 2008-5-9 09:47:26 | 只看該作者
我也是用5141,qcell製作cdsmos時有add implant layer與
$ \7 a, G% `2 p- M1 qadd well layer可以點選使用,自己要加哪個layer自己挑,不
; A% E4 M8 S  U% \) @: |' \過是有限定enclosing diff gate或是兩者,另opc是什麼?看不; e: E7 k5 w6 v3 X' d# S( l1 ]! j
懂。
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4#
 樓主| 發表於 2008-5-9 12:40:23 | 只看該作者
原帖由 skeepy 於 2008-5-9 09:47 AM 發表 * q) t( g. ?% z) l7 g
我也是用5141,qcell製作cdsmos時有add implant layer與+ T% p$ N  R3 ^* N5 s
add well layer可以點選使用,自己要加哪個layer自己挑,不+ J9 Y3 b2 [4 b; T
過是有限定enclosing diff gate或是兩者,另opc是什麼?看不
% C* c7 V6 z- \4 p5 u懂。

+ c/ P3 q# Z3 H9 L' G
& q9 q( G/ b6 X7 o0 j, \4 [" Hopc就是conopc層,用來打在contact四個角落的一個layer層 目的是防止製程在轉角處可以修正的比較接近方形,而不會使contact因為製程的偏差而做出來變成不規則的形狀4 F+ I% S4 R5 a& j
大大說的兩個add layer我有看到 因為沒有opc所以我無法定義@@" M, a+ E' z# m9 F8 `7 ?( R
有高手可以幫忙解決嗎@@?
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5#
發表於 2008-5-13 11:54:20 | 只看該作者
QCell在制作标准的MOS器件时候时很方便的,但是,诸如楼主所说的这种情况,可能必须重新添加几个OPC层的矩形区域,并将它的位置定义到现在Contact的四角位置上。当然,这样做基本的CELL的时候时没什么问题的,但是如果需要拉伸Contact阵列,或者在自动布局布线的时候可能会有其它的问题出现,最好还是由CAD支持人员来做这个工作。
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6#
 樓主| 發表於 2008-7-3 10:46:22 | 只看該作者
這個問題還沒解決,如果以pcell代替qcell就沒有這個問題了,感謝兩位大大的回答喔
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