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[問題求助] 請教antenna的問題

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1#
發表於 2008-5-9 15:01:28 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這是目前在做whole chip整合發生的問題,當我antenna跑完,使用
3 p1 v8 ?6 V/ d, f3 ~" a( w( wantenna diode去補後,antenna過了,但是lvs卻發生問題,某些線會
8 l* q+ @6 Z4 r5 K6 E: ]因為diode而有error,是類似斷線的錯誤,有些不會,當我不使用diode
- }0 g/ r& A. A- o6 g7 O, H而用換層的方式,卻又正常了,這到底是什麼原因.我確信diode沒有
9 f1 {' `2 ~: W( n8 |2 N  t跨在2條線間,使它們短路,也沒有放在用做區隔電壓的dummy layer
2 E. t$ V5 [) {# i6 B5 P下.5 w4 t1 j. `" {9 e* E
還有一個換層的問題,一般從製程來說是朝上換,是沒有疑問的,就我
3 [% T9 h( V( s( }# \9 p的理解,就朝上換一層就行,但是有人說要換top metal才行,昨天辯很
- A3 O( _7 ]+ ]久,當然2種都會過,不理解的是,用top metal有什麼根據會比較好.
$ g: u) ^  }% \% t' m5 K' {' I: O# Z% s. \
[ 本帖最後由 sw5722 於 2008-5-9 03:07 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-5-13 23:01:39 | 只看該作者

ANTENNA

TOP METAL 比較上層所以乾淨
; F5 s; S$ v; p) z請RD改SPI檔請他加DIODE
3#
 樓主| 發表於 2008-5-15 09:58:46 | 只看該作者
TOP METAL是可以使帶有電荷的大面積metal,較慢與gate連接,
8 |! E$ L5 K  e% Y% a) O但是top metal的rule遠大於一般metal,個人覺得使用上一層就能
* @9 P8 ]" _5 @2 g" ?達到效果,也就是暫時中斷那些電去燒毀poly gate.2 b) {5 K, S. @5 O0 A% v
一般來說我公司designer都不會在spi檔上加diode,因為出現的
( N+ m5 U9 |1 l. k! O" U. X8 |7 ~1 Qerror report是一樣的,但是在某些線上,會有其他的error.所以才會' h0 S1 h- @& v: {: F
用換層取代,只是不知道那些異常error發生原因.
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