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請教一下 yhchang 及 ljh 大大,在建立 ibis model 時重要的參數有那些呢?) `* J* ~; \+ b1 C
v_fix r_fix 等,就我所知是可以調整 transtion 時的曲線 rload 可以調整斜率1 f; H( @2 Y% w
但我改變參數時並沒有很明顯的變化8 ^/ ~9 @, i& `) d% K/ T7 k/ [" N
此外要如何確定 建立的ibis model 是有效且符合原電路呢?
4 P* Y) G' |$ n% a( f我用 spice 和 run 電路,條件和 ibis 裡面的一樣
2 k6 Z! l1 n) B- a6 } V但結果圖形 仍是不盡相同
- H' ^: ~/ u6 q' D" w但 ibischk4 驗証過了
5 f3 i, T9 v: K# u4 _+ j. [5 b感覺ibischk4 只驗証rule 而已,沒什麼用處的說
, [& T4 ^ \- W( u% l9 p且我拿 samsung DDR IBIS model 去 check 也是一堆 error
# F2 Y* e- j; \& d0 {1 L, Q# r令人搞不清楚如何才是建立正確的 model
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煩請前輩們給予指點,謝謝! |
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