請問在Layout如何數位與類比

likewind

請問一下各位大大...
小弟想要學Layout
現在先從數位的畫法先學起，慢慢在學類比的畫法...
7 e# j+ V6 \5 V9 w( u' \) Q3 C$ n
問題:
; r/ M4 |- k- _9 u1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)
( ]% V: A# n9 |+ O4 C% a5 Q2.數位與類比畫法的差異?
8 W$ y7 [* W! Y4 K% @2 P1 I# _3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?
3 N5 t" j7 s/ B; c0 c1 Z0 U4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??
9 h5 l& j" w! b& M) a拜託各位大大嚕...謝謝你們

小緯仔

電阻電容的layout方法
/ U0 B2 M) d% q" X0 A8 a+ e' F
6 R0 k+ a) t) e" w' @7 M2 @: J在論壇應該可以找的到
http://www.chip123.com/phpBB/vie ... ighlight=%B9q%AA%FD

* k+ C3 H5 ~+ ^8 j$ a我覺得要學好layout 對於製程要也一些觀念

" \7 b# }, O4 I這樣子才知道自己在lay什麼

) a% o& X2 j$ A0 A5 R/ I在製程上會有什麼影響，可以嘗試把一些簡單的layout

* h9 k3 N. F* x, p隨便劃一段，將他的橫截面畫出來

likewind

嗯嗯~我認同這位大大ㄉ說法
製成觀念也是很重要滴...
課本上的截面圖...
" Z  |4 u$ Z+ ~: W經過學校上課...小弟有點概念了~
7 d' }9 \7 X/ o( l. B* K6 l7 |謝謝你~

小緯仔

別那麼客氣啦！

  E  C( Y$ u" W9 ~; L0 b' h我現在也是學生
5 r7 i  H) T9 y  U# [
或許只是比你早一些時間學到而已
: b% N1 d0 L0 g1 ^3 O7 D
4 z" o1 M/ ?) d, B- a5 q# R有問題都可以在一起討論

sw5722

1 比較模糊的說法,類比的mos尺寸比數位大,比較準確的說法
   要問rd.
2 數位比較自由,mos要折就折要跨就跨,除非rd特別交待,不然
; f, G5 I4 O: s- x# ~$ I0 `( B   就是越小越密越好,類比的話,比較龜毛,接線一定要metal,跨線
   也要講究,其實就是designer依據電路去主導layout
$ q1 X: V) H% ?; x3 每種製程都會給你一些參數,去計算,通常是多少面積有多少值
   我知道電阻有一個公式是這樣,R=(參數)＊L/W(是從R=q*L/A延
, G4 k; ?* e# e7 V8 z　伸ｑ是介質係數)．
４多看多問多畫,其實也沒啥難.

linger809

1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)   2.數位與類比畫法的差異?
0 d5 ]7 q: e  A7 `. @數位和類比只是概念上的叫法.所謂數字就是只運算出結果0,1的電路再加上時序,構成控制和運算電路.而類比的輸出結果是和time,input-swing,phase,有直接的關係,輸出是綫性變化的.類比中也有數位的divider,pll中的pfd等都是數位的.只是在layout時我們對數位的比較不關心,可以放在一堆就好了,而類比的我們要把foudry生産的誤差考慮進去,比如說橫向縱向的梯度要考慮,要將誤差减小到最小就要匹配好divice,比如difference input的對管一定要注意匹配,中心對稱或者dababd(d代表dummy) 或者  abba的方式,有dummy前一種情况比較好,沒有dummy后一種匹配更好
2 G  e; t) `. H/ ]6 }  A$ S& z" E2 X
3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?
' V$ r/ e3 d! `- d2 u  i一般layout時,virtuoso可以直接用xl把device從pdk中調進來,如果你用laker的也是可以根據你電路的標值從pdk中掉進來.至于計算方式foundry針對每個工藝都有它的計算方式,電阻一般是r=rs*l/w (rs是方塊電阻),有時把端頭電阻也計算進去(如rhpoly沒有rpo的部分(tsmc叫rpo,smic叫sab),lvs文件也有寫怎麽計算.有時也把工藝的偏差都計算了,不過這個不用你關心,foundry已經幫妳考慮了.
4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??
' S) ]( v0 i& m9 M多動手layout,多看design rule,多layout大模塊ll,ad/da,以及拼接總圖,esd環路layout,tapeout后查看問題等
2 T  C1 V6 J! ]. V7 W
7 `7 N7 l* G- Y; W7 m! ]+ s: _希望對你有點幫助

CM168899

上面的大大說的很好
我覺得多做自然會有經驗累積
會越來越有sense

ker

一定要注意匹配,中心對稱或者dababd(d代表dummy) 或者  abba的方式,有dummy前一種情况比較好,沒有dummy后一種匹配更好

第一個問題
想請問一下上述的原因
第二問題
9 `( d# F" @) g因為剛學LAYOUT  幾乎都會加上dummy  是所有情況都加上dummy比較好，還是以abba排列不加dummy會比加還好

請指教  謝謝

Avril

abba排列不加dummy會比加還好
$ V9 a# `# A3 O) p& Z9 v/ q8 L! }
這句話應該有待商榷吧
" @: n/ r3 z/ `+ R% O" L, G如果挑剔一點, ab device尚未maching
6 Q! R2 [- V+ j; G( A! c. @) E$ X若dabbad, 會比較好點吧,
7 H7 t# m6 B1 _9 |- y
0 S8 V- m2 Z1 Y; t( F8 ~, h$ L每家公司都不同, 討論討論囉

angala

通常類比電路會加上guarding,數位電路就不會考慮了^^

pkjordan

數位應該就是是傳送簡單的0 1 訊號
  ~5 u7 g. z/ D3 c' n1 b, G在layout大概只要線跑的過就ok
除非一些叫髒的clock訊號要特別注意

類比訊號就會比較雜亂 (高頻 電流量 等等)
/ s9 q5 i0 v) {8 \所以在layout上要特別注意到跑線問題 couple 干擾 是否要加shielding等等問題 比較需要經驗累積

clarkhuang

問題:
$ i) h( h1 e& z5 t& l# `- L1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)
應該是以電路圖為依據......我猜的(類比會有清楚的被動元件)
2.數位與類比畫法的差異?
如上面有大大提過   加NRG或是PRG 這些都是類比 必要的
" }" H) k, ~4 V* K4 }: l+ _數位求面積最小化
類比講究對稱 匹配  電氣特性 為考量
如有不對請指正

ecalfs

類比layout考量較多元, 需累積很多經驗
必須要更了解電路特性, 一般需要求designer提供layout gideline
3 b3 j5 I8 V$ s% i# e! j$ e4 B否則容易有問題

BOGY

在晶片佈局(Layout)考量方面，類比(analog)部分與數位(digital)部分所考慮的方向不同，所以對於在佈局時，方法也有所不同；數位電路最主要考慮的是面積的考量，故通常都先製作單位元件，將VDD與GND的高度固定，每個單位元件都以此高度來佈局，不用考慮noise及match之問題，其最大原因為數位電路的noise margin約為 ，所以雜訊免疫能力很高，而元件之間的對稱問題，也不用考慮，
6 E# K4 X. X3 E5 z
" r, ~' `) ]/ S$ L9 B但在類比電路佈局中，對於對稱MOS必須盡可能的match，使MOS可以同時受到雜訊的影響，讓雜訊變為共模訊號，則在OPA不會被放大，進而不影響訊號的正確性，如Amplifier中的input端。一般的方法是使用common centroid來達到目的，在MOS兩旁加dummy可以防止周邊元件對其他MOS的誤差所產生的影響。而在MOS的周圍加上一圈guard ring，可以盡量減少雜訊對於MOS的影響，以達到保護電路的效果。

在Layout電路的元件擺放位置，需要讓MOS與MOS之間的間距為minimize，且MOS之間的連線路徑盡可能成為最短路徑，使得線路上的寄生電容與寄生電阻盡量減小，則產生的效應對電路的影響可降至最低。
: i* o6 D5 ^$ rPower lines的考量可以從多方面切入。例如在VDD與GND的連線路徑上，因為連線路徑必須承受電路整體的電流，使得我們必須加粗連線路徑，以提升路徑上可承受電流的程度，避免連線路徑因電流過大，導致大電流而燒斷連線，形成斷路。從另一方面考量，因為我們加粗Power lines，使得路徑上的寄生電容變大，當power line有雜訊時，可以透過此寄生電容達到減少雜訊對於電路的影響。

4 b8 M5 i4 y4 T4 T' F其實講了那麼多，還是要多多練習如何編排MOS元件的擺放方式。還有就是設計電路方面自己也要懂一些，才知道為什麼電路要這樣子設計，這麼一來對於電路的了解也會更為精確、也可以考慮到更多的效應。

seuzhn

类比的尺寸比较大
9 @: B7 Z8 j& f而数位一般是最小尺寸
1 p' [, M3 r. O$ x4 ]这个方法比较简单可以分辨出2中的不同
9 _, a6 t. O$ [, d7 k很多的东西都很难一言蔽之，要在联系中体会

lin.weite

1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)
3 w, i; N, z4 _( g2 W7 T
RD設計出來的電路是Digital,就是Dgital Layout
RD設計出來的電路是Analog,就是Analog Layout
在Layout上沒有很明確的去區分
, h! @% V. H4 e8 s: `在製程上倒是會有所區別
# `) J: V( z. S% K. E- c一般常用的製程有
- w. d1 R5 c/ r5 K' P4 Q' G& hCMOS製程(有純Digital,有Mix Mode)
7 l4 a7 `' R$ ?/ q7 EBiolar製程,Bicmos製程,BCD製程....
) d: |+ ^) S! K! k4 ?" n就看RD設計時所需要的元件,工作電壓...去選擇囉!!
& N! D' g# `/ X4 O+ b
2.數位與類比畫法的差異?

, r) W' k# U* ~1 ]9 k. G! YDesing Rule是固定的,很少會因Digital或Analog而變
- M  O  }& B" i& f* ^) c+ g要說Digital與Analog的畫法差異
5 ~7 z' @* Q/ s( S應該說是在Lay Analog要注意的地方會比在Lay Digital時要多
通常Lay Digital只要符合Design Rule就可以
但Lay Analog時有些原件的擺放方式就要注意囉!!
( J( |. a  A% m+ |0 ?8 x
3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?

. _, {6 @$ S7 M9 O6 E$ E' A- F電容,電阻的產生,取決於你使用那種製程
6 [% J' R. q; n5 @+ T4 L電容一般常用的有Mos Cap,Poly1-Poly2 Cap
電容值算法,一般FAB廠會告訴你每um平方有多少pF
* [4 V6 f9 q0 j" c5 u- f$ L每家FAB的Oxide厚度不同,所以電容值也不同
- u4 J* j( X; l2 G$ x電阻一般常用的Well,P+,N+,Poly,Poly2都有
阻值每家FAB也都不一樣
: |/ E7 K- m. ?$ D; z0 x* ^
4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??
( x9 P2 ]% ~$ z4 Z
. x: T5 d5 a. P$ G4 J多拆幾顆IC,看看別人怎麼Lay,以及為什麼要這樣Lay!
0 t* [6 R3 I# ~: ?0 V& d應該能多少有些收獲吧!!