layout三问题分析是否正确

zsf50400

1 P+ply电阻、 N+poly电阻、hres电阻，我了解：hres电阻一般做在NW中来隔离，P+ply电阻也做在NW中来隔离，N+poly电阻直接做在衬底上。为什么N+poly电阻不可以也做在NW中来隔离呢？
" I& b/ Y# e* |5 ]2 底中压MOS，中压mos需要用DG层覆盖，低压mos不用DG层覆盖，如果把低压mos的guardring用DG层覆盖，这样是否可以，为什么？
- i! ], W! H! g  据我判断这样是可以的，因为DG层只对mos的gate区域起作用，是这样的吗？
3 对于mos，res，电容...在做option时哪些必须用metal短接，哪些必须把另一端悬浮起来？
! t" P  Q) \, v) ^8 Q! i  据我了解，mos必须短接起来，特别时栅不可以悬浮，res可以悬浮起来，电容就不清楚了，但看到过由把MM电容的一端悬浮的，但这样大片的metal会收集很多的电荷？
% G! `% }+ o8 i各位大侠如何认为呢？谁能为小弟分析下呢

arthur03226

1.請問您 Nmos能不能用NWELL改起來?答案應該是不行吧?
' C$ `' P% g- q. Q" t那N+poly res也是一樣，因為會漏電(N+ 與 Nwell會導通)
2.LVS PASS不代表做出來IC不會FAIL，這問題請與RD or PD討論。
3.根據我的經驗，不管mos res cap 要做option or dummy最好都把他們short掉。

小包

那個~~題目我看不太懂耶，可不可以翻譯成我們這的說法~
很多簡體不打緊，我看得懂~
( A) {  ?# w; Y但是整句兜起來的意思，看嘸~

zsf50400

1、 N+ poly Res 也就是没有看到过... 但P+ poly Res 和 HRres放在NW中来是常见的；
$ R! V; G1 ^9 [0 ^5 _# [7 a
, S1 }5 O" R9 b' h2、LV MOS not used DG(RPO)，MV MOS used DG(RPO)；
Guardring of LVMOS  used DG(RPO）？What is the matter if guardring of LVMOS used DG(RPO)？

skeepy

1.N+POLY N+DIFF Res把它想像成NMOS都是用PRING圍起來，
* u2 F# t; l9 {, N+ \5 G  V   P+POLY P+DIFF Res一樣把它想像成PMOS用NRING+NWELL
! G' w& U- c/ l' l0 R3 c3 U1 B圍起來，至少我是這樣想的，HRes有的只是用DUMMY RING起來。
2.RPO?看啥製程。
3. DUMMY MOS浮接就看RD的需求囉，若GATE共接時不希望DUMMY
, t. N0 [% B4 f# ]2 y% Q, o* i) D  MOS的D/S 接到同電位，所以呢DRAIN是浮接的，RES CAP一般不
/ [  {6 c( f- e2 V, x+ e; R 用時是希望兩端接到同一點。

zhdq_413

1．        這個我也有疑問，有點懷疑是不是 因為NW電位的問題
  b7 o' `, X9 o" ]" |2 a2．        我覺得好象DG好象不是RPO吧，他應該是一層調節MOS gate oxide 厚度mask

zsf50400

....他應該是一層調節MOS gate oxide 厚度mask....

* E" H% H: V1 O的确如此！他的应用如何呢？