11/27 工研院系統晶片科技中心『3D IC 技術研討會(第一場)』

chip123

『3D IC 技術研討會(第一場)』 　 　 在終端產品應用朝向高效能、小型化與異質整合的需求下，傳統的2D IC技術已漸漸無法達到此種要求，為了解決在2D IC技術的瓶頸，IC製造產業已從2D平面IC製造技術轉向3D立體之IC製造技術，統稱為3D IC。3D IC為晶片立體堆疊整合模式，3D IC不僅可以縮短金屬導線長度及連線電阻，更能減少晶片面積，具體積小、整合度高、效率高、耗電量及成本更低等特點，因此被認為是下世代半導體新技術。 ! G' q3 j* x+ _% u2 C. ]4 ^: F3 ~ 另一個使用3D IC技術的最大誘因在於系統晶片(System on Chip; SOC)的整合性更佳，以往在系統晶片或系統構裝(System in Packaging; SIP)等晶片整合是以2D之平面整合方式成單一晶片，而3D IC最大特點在於3D IC可讓不同功能性質，甚至不同基板晶片，以最適合的製程分別製作後，再利用矽穿孔(Through-Si Via, TSV)技術進行立體堆疊整合，如此可進一步縮短金屬導線長度及連線電阻，也能減少晶片面積。因為3D IC技術具體積小、整合度高、效率高、耗電量及成本更低等特點，將更符合數位電子輕薄短小發展趨勢要求。 3 k7 S# w9 t* ?2 H$ ?然而，在3D IC技術下，晶片間內部連接路徑更短，相對使得晶片間之傳輸速度更快、晶片間之雜訊更小、效能更佳，也使得一些須要克服的技術問題一一浮現。由於3D IC的技術需考慮TSV技術、晶片之散熱問題、良好裸晶（Known Good Die; KGD）之測試、使用不同堆疊方法（C2C、C2W、W2W）對良率問題所能解決的方法、晶片接合時對準（Alignment）的誤差、晶片之磨薄技術、晶片之間接合的方法和材料的選擇等問題，而這些問題都是在2D IC技術上所未見的，也等待研發人員的克服。 ) w1 j. {3 @# e - S9 H* h9 g1 F' ~本研討會結合對於3D IC 設計有相當了解的專家學者，針對市場上已有的 3D IC先進封裝技術研究、相關標準之美國專利資料及記憶體互連標準(Intimate Memory Interconnect Standard，IMIS)等題目進行報告解讀與資料重整，希望對於將來3D IC相關計畫之規劃與研究有所幫助。在此邀請學研業界先進一同參與！ 舉辦日期：97年11月27日(13：30 ~ 17：00) 5 v4 s. F/ R& U+ ^& m舉辦地點：工研院中興院區51館3A會議室 指導單位：經濟部工業局 $ |0 y4 }  ?9 Z主辦單位：工研院系統晶片科技中心 參加費用：免費 報名期間：即日起至97年11月26日止(名額有限，請儘速報名，以免向隅) 線上報名：請至線上報名網頁填寫報名表格 聯絡窗口： 周柏妤 小姐 - R" x( {+ D2 `. ?" X活動議程： 　 時間 議程 主持人或報告人 13：30-14：00 報到 14：00-14：10 開幕 1 ~( Y, o) ^6 ~4 { 唐經洲 特助 . c) x3 B/ D/ T  p/ f2 D8 w工業技術研究院   R, J  {" e5 u系統晶片科技中心 * H4 f+ Y) i% S- A" w 14：10-14：50 3D IC 技術專利探討 6 ^- Y& F0 [, p( _ 林瑞源 教授 南台科技大學 2 O5 a' E# }# e9 k" U 14：50-15：40 - i' L0 F) y: W5 y$ i* c7 G 3D IC Advanced Packaging -Yole 之報告解譯與分析 王立洋 教授 南台科技大學 15：40-16：00 中場休息 & K( o. k* F7 l/ a 16：00-16：50 8 ^5 q3 R! A9 Q( G; A8 C; N+ }. `' | 3D IC 記體體標準 (IMIS) 探討 張孟凡 教授 5 O, }. ^* \* p$ s! d/ o清華大學 16：50-17：00 - R! L1 ?! Z. j8 R: O, G/ E( u 意見交流 : B1 T" \0 k& e+ K