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[問題求助] 如何在外部電路產生電壓中點?

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1#
發表於 2009-1-17 21:36:26 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
目前VDD=3V, VSS=0V
8 y* p3 v4 B- q8 Y% g, u+ v小弟我需要產生一個1.5V供應chip
3 Q; ~9 j/ m; Q' A- @+ C3 D請問各位板友
. K$ T* F. d- p0 l除了電阻分壓法外還有其他比較有效的辦法嗎??( L- D" |, k, g$ O" H; d4 A8 I
電阻分壓的負載效應影響太大了
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2#
發表於 2009-1-19 10:30:24 | 只看該作者
要消除負載效應 就再接一個voltage buffer就好啦2 J3 W+ v  A$ A, e* K) t
就是一顆OP把它接成增益為一的負回授OP 這樣就可以擋掉負載對偏壓點的影響
' s# i+ X' H+ K/ u) ~. voutput電流變成是由OP提供+ `- c6 \' l0 Y+ y9 O  n5 b
另外如果是要產生電壓中點 我目前想到的是電阻分壓法 可能還有其他的方法吧$ Q# S( i; x: V3 E  i
如果只是單純想要產生一個1.5V的參考電壓
, y! D/ Q5 _& @一般的做法是先用bandgap產生一個不受溫度以及電壓源影響的參考電壓 通常是1.25V左右4 H: @. t& s3 {8 G; ^6 a- h. m/ Q
然後再用OP和電阻接成負回授 用電阻分壓產生出你想要的電壓 例如1.5V
5 J, {  ~2 J, j! p& B8 M  K# R) }
" l3 e. U6 ^; S8 {9 y1 X) ^2 w( L[ 本帖最後由 monkeybad 於 2009-1-19 10:36 AM 編輯 ]

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3#
發表於 2009-1-19 10:43:05 | 只看該作者
不好意思 沒看清楚問題 你要的是外部電路的方法 而我講的是內部晶片設計的方法
4 ]1 ^: d0 S( j. [5 j( ]; @不過用OP當buffer的方法應該是兩者都適用啦
8 v+ n; B& I. A' [假如成本可以接受的話 OP的方法可以試看看4 H# _6 u% d& O0 ?! @* O) X
不然就直接用LDO來產生吧
4#
 樓主| 發表於 2009-1-19 19:53:48 | 只看該作者
呵 感謝版大回文
5 e# ?- T( p5 v% t不過我應該用不到LDO吧8 A  F- n" B, L2 n3 z* g

) ]$ ]- j( r( c4 K9 w我最近會試看看用齊納二極體
' U* ~5 S! }* j7 ?1 z7 w0 O如果沒意外的話應該可以成功
5#
發表於 2009-1-20 13:10:19 | 只看該作者
我觉得在外部电路的话用电阻加缓冲级的方法应该没有什么问题吧?
6#
 樓主| 發表於 2009-1-21 14:57:17 | 只看該作者
我發現3v的op-amp 好像很少喔
4 i2 ]; V- ?* k' T  Q6 m4 @有版友能提供一下比較常見的IC型號嗎??
7#
發表於 2009-2-6 10:30:00 | 只看該作者
用NPN電晶體作共集極之隨藕器:3 r7 \5 @3 T! Y
基極由電阻從Vcc分壓得Vb=2.1V,
$ g- |) C& z5 G" p' o' V集極接Vcc,' i3 x) B+ \; I) Q$ f! ^
射極得到Vo=Vb-0.6=1.5V並聯接地電阻。
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