聯華電子產出45奈米製程測試晶片

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使用浸潤式微影術與2.5低介電值技術，製造SRAM測試晶片
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2 P# f4 ^. P0 M& R; j5 [聯華電子今日（20日）宣佈，成功產出位元較0.25平方微米更小的45奈米SRAM（靜態隨機存取記憶體）晶片。此晶片採用聯華電子獨立發展的邏輯製程，在12層重要層中使用複雜的浸潤式微影術，並且結合最新的尖端技術例如，超淺接點技術、遷移率提昇技術以及超低介電值技術（k=2.5）。

所謂的浸潤式微影術就是在光學掃描儀器和晶圓表面插入一層液體媒介，取代傳統氣體間隔的解析度強化技術。因為浸潤液體較氣體有較高的折射率，所以可以使用數值較高的孔徑，解析度也因此獲得提昇。這項技術能在矽晶圓上印製更精確的圖形。
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負責督導中央研究發展部與Fab 12A的聯華電子執行副總孫世偉表示，“這項最新的成就再次展現聯華電子身為製程技術領導者的承諾更勝以往。因為必須同時採用新的材質與製程模組，45奈米製程技術實是一個深具挑戰性的世代。身為世界上少數率先產出45奈米製程測試晶片的公司，我們感到非常興奮，這項成果也深深激勵我們。聯華電子將會延續這股動能，持續提昇45奈米製程的良率，並且籌備將此項技術提供給我們的客戶使用。”

45奈米SRAM記憶體元件與巨集電路需要最低限度的電壓供給功能，而在這個領域，聯華電子早已在45奈米製程早期開發階段就投注大量心力。因為今日先進可攜式電子產品對節省電源的需求日益提昇，最低限度的電壓供給功能對45奈米製程來說是非常重要的。除此之外，透過使用測試工具上內建的選擇性電路，更可以將最低限度電壓供給提昇至絕佳的狀況。
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* q+ w3 V& |2 \% F: ]% i為了吸引客戶投單製造45奈米產品，展現技術效能與製程可靠性關鍵的第一步，就是生產SRAM測試晶片。聯華電子的45奈米製程技術配備有微縮30%的設計規則，微縮50%的六電晶體SRAM元件尺寸，與較65奈米製程高出30%的元件效能。65奈米製程目前已有數位客戶採用。聯華電子45奈米製程的研發是在位於南台灣的南部科學園區的12吋晶圓廠Fab 12A中進行。