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英飛凌推出業界首款具砷化鎵 (GaAs) 效能的 CMOS 射頻切換器: j( ~- f! o7 N+ ^& x$ I
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2008 年 2 月 12 日台灣台北訊——英飛凌科技(FSE/NYSE:IFX)在今天宣布,以 CMOS 製程在矽晶圓上製造的全球首款射頻切換器 (RF switch) 系列產品,將以批量的方式開始供貨,並提供與砷化鎵 (GaAs) 製程技術的射頻切換器同等效能,這是一項前所未見的技術大突破。截至目前為止,CMOS 射頻切換器仍需製作在更為昂貴的專用藍寶石晶圓 (sapphire wafer) 上,才能達到砷化鎵切換器的效能。
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打響整個全新系列第一砲的 CMOS 射頻切換器 BGS12A 將以微小間距的晶圓級封裝(Wafer-Level Package,WLP)供貨,大小只有 0.79mm x 0.54mm,比起目前市面上最小封裝的 GaAs 射頻切換器,可讓印刷電路板(printed circuit board,PCB)空間減少 60% 左右。在許多的無線產品上,包括手機、WLAN、WiMAX、GPS 導航系統、藍芽配件或車用遙控門鎖等,射頻切換器一般運用於切換功能,如接收及傳送 (Rx/Tx) 資料、頻帶選取或觸角差異 (antenna diversity) 等應用,同時也能在全世界啟用漫遊。一般而言,行動裝置平均配備 1 個射頻切換器,然而有些高階的多頻行動電話則安裝多達 4 個射頻切換器。
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1 ?3 Q- K+ p6 B- N+ u0 G/ `* d$ ~( n英飛凌科技 Silicon Discretes 資深總裁 Michael Mauer 指出:「英飛凌的 CMOS 射頻切換器採用微小的晶片大小封裝,並不需要電壓轉換器 (level shifter) 之類的其它外部零組件,因此能夠節省更多的空間,運用在各式各樣的主機板設計上。現代多模式行動裝置越來越複雜,預計在未來5年內,射頻切換器將取代今日的PIN二極體。」 v1 o- B4 y1 W5 i, D
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根據波士頓的美國市場研究機構 Strategy Analytics 報告,全球的射頻切換器市場在2006 年大約有 20 億片的規模,預計 2011 年可以成長到兩倍,也就是大約 40 億片。
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1 C& t, q4 C5 q9 q# E: D: m全新的英飛凌射頻切換器以獨特的射頻 CMOS 技術製造,結合了 CMOS 的優點以及優異的射頻性能,例如低插損、低諧波失真、絕佳的絕緣、高功率層級。CMOS 的優勢包括高度整合能力、成本效益及優秀的靜電放電 (ESD) 耐受能力。相較於現有的解決方案,CMOS 射頻切換器能提供最高的整合能力、比起 GaAs 裝置價格更低,比 PIN 二極體的電池壽命更持久,因為大幅降低了電流的消耗。所有英飛凌射頻切換器都不需要外部直流 (DC) 阻隔電容,並且已整合完整的控制邏輯。CMOS 的相容邏輯層級(1.4 V至2.8 V)不需要外部電壓轉換器。
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1 T2 X" z, K( \% Q, `% |; c, {& L% J英飛凌首款 CMOS 射頻切換器 (BGS12A) 的詳細資訊
# t E. W* ?$ U I" _& D8 bBGS12A 是英飛凌全新 CMOS 射頻切換器家族的第一項產品,是一款一般性用途的單極雙投(single-pole double-throw,SPDT)射頻切換器,專門設計給功率層級高達 20dBm 所使用,P-1dB 超過 30dBm。這款全新射頻切換器所提供的高射頻性能,在 1.0GHz 的頻率時僅有 0.3dB 的插損、低諧波失真、絕佳的絕緣(在 1.0GHz 時34dB)、以及不到 4µs 的迅速切換時間。界面保護足以對抗 1.5kV HBM ESD(人體放電),能增進行動通訊裝置模組製造商的產能,達到所要求的 ESD 層級。BGS12A 非常適合用於高達 3GHz 的低功率及中功率應用。9 I+ s9 P* z% c; }7 V# i' l" [1 v8 I
$ f9 |4 o x' Y1 ]- X& E% Y價格及採購: {) D4 j/ Z7 N' n; |: \6 G
BGS12A 以批量供貨,以每1,000顆量為單位,價格從每件0.70美金起算。
. n9 F# v+ r& q) J, t6 l% J$ T英飛凌將持續推出全新射頻切換器家族的其它成員,並且增加封裝上的選項,包括高達 16 個插針、38dBm 更高功率層級的超小型TSLP (thin small leadless package) 封裝,以及高達九個 Tx/Rx 埠,可供廣泛的無線應用。其它這些家族成員的量產預計在2008年的下半年開始。. b% p9 v" ~( Z+ D# H J( N
8 l4 e0 z' L# F. [8 l) _0 S0 r, N6 N如需有關英飛凌CMOS射頻切換器的更多相關資訊,請造訪英飛凌網站:www.infineon.com/RFswitches,或者親自蒞臨2008年2月12-14日於西班牙巴塞隆納舉辦的「全球行動通訊大會」(Mobile World Congress),本公司的展覽場地位在 1 號廳的 B15 攤位。
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