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英特爾微處理器未來將全面採用無鉛設計

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發表於 2007-5-24 16:42:11 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
英特爾的創新45 奈米High-K金屬閘極處理器無鉛化 - Z4 B  J  @5 o& a; |3 N) k" z
顯現英特爾對環境永續發展的全方位承諾
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英特爾公司宣佈,自採用high-k 金屬閘極 (high-k metal gate) 之45 奈米 (nm)全系列產品開始,未來英特爾處理器都將採用100% 無鉛設計。英特爾45奈米Hi-k 系列處理器包括下一代Intel® Core™ 2 Duo 處理器 (Intel® 酷睿 ™ 2 雙核心處理器)、 Core 2 Quad處理器 (Intel® 酷睿 ™ 2 四核心處理器) 和 Xeon®處理器等。英特爾預計將於今年下半年開始生產45奈米 Hi-k處理器。 3 s4 D8 S/ X- Y8 U3 v- J

6 G- G( R1 S# D3 a& C2 X1 c( [英特爾副總裁、技術與製造事業群組裝測試技術開發總監 Nasser Grayeli 表示:「英特爾正積極朝協助環境永續發展而努力,包含了全面採用無鉛製程、重視產品能源效率運用、減少廢氣排放,以及大規模回收再利用水資源與製造材料等。」
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之前各種微電子封裝 (package) ,及連接英特爾晶片與封裝的凸塊 (bumps) 都會使用鉛。封裝包覆在晶片外部,並連接至主機板。為因應特定市場需求,包括筆記型電腦、桌上型電腦和伺服器等各式處理器,會採用不同種類的封裝。無論是採用何種封裝設計,如 PGA (pin grid array)、BGA (ball grid array) 和 LGA (land grid array) 等方式,英特爾的45奈米Hi-k 技術世代都將100%使用無鉛設計。英特爾也將於2008 年將65奈米製程所製造的晶片組產品全面改採100% 無鉛技術。 " E4 A  e; J$ c/ R( k: v9 O7 g0 @! c

4 a4 B5 b" [- N9 q" ?2 |( e英特爾的45 奈米處理器不僅以無鉛方式製造,同時也採用英特爾獨有的Hi-k矽晶技術,減少電晶體漏電 (leakage) ,催生耗電更少、效能更高的處理器。英特爾的45奈米Hi-k 矽晶技術也包括第三代應變矽(strained silicon),可改善驅動電流,並利用低 K值電介質 (low-k dielectrics) 降低連接點電容效應,以提升效能和降低耗電。英特爾 45奈米Hi-k系列處理器的最終目標,是引導業界朝向更輕薄短小、能源效率更高的桌上型電腦、筆記型電腦、行動上網裝置和伺服器的設計。  0 e# I5 U; Y* S+ s( X
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無鉛化的推廣
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! V0 \; r) K! C# }) b! h2 r數十年以來,電子零組件持續使用鉛的原因是因為它具備適當的電氣和機械特性。要尋找能滿足效能和可靠性需求的鉛替代材料是一大科學及技術挑戰。3 X, l# a6 ?: s( |8 V: \4 C: o

7 @* M# E8 `) H' x2 M由於鉛可能影響環境和公眾健康,英特爾多年來一直與供應商和其他半導體及電子零組件公司合作,開發無鉛解決方案,這是英特爾長期對環保承諾的一部份。2002 年,英特爾推出了第一個採無鉛方式製造的無鉛快閃記憶體產品。自2004年開始,英特爾出貨產品之含鉛量較前一代微處理器和晶片組封裝減少了95% 。 * a# p1 Y' G$ f( L# U

# ^( I, H; e$ z3 F5 W7 q針對過往仍存於處理器封裝之內部連接點 (interconnect) 第一層內之5% (約0.02 公克) 的含鉛焊錫 (lead solder) – 焊點用來連接矽晶粒和封裝基板 – 英特爾將以錫/銀 /銅合金 (tin/silver/copper alloy) 取代。英特爾解決方案的獨特秘訣在於利用這些新材料來取代以鉛 /錫為主的焊錫。由於英特爾先進矽晶技術含有複雜的連接結構,必須投入大量的工程資源,才能使英特爾處理器封裝完全不使用鉛,並推動整合新的焊錫合金系統。
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英特爾工程師開發出使用新焊錫合金的封裝製程,因此得以達成目標,產品同時展現高度效能、品質及可靠度,符合各界對英特爾零組件的期待。 ; _& G' g1 _* G
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環境關懷永續經營 – 從電晶體到廠房面面俱到 9 r' L2 Y4 P& p
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英特爾長久以來支持環保不遺餘力,此一理念由創始人摩爾 (Gordon Moore) 奠定基礎。除了無鉛產品之外,英特爾的廠房和營運也因應發展出多種環保最佳實務。英特爾的各項措施均將能源效率列入考量,從新世代無鉛處理器使用的最小45奈米電晶體,和目前的高效能 Intel Core 2 Duo處理器耗電減少達40%,到全面支持業界標準和公共政策等。這些眾多範例包括: / g9 |, l# q9 D7 `0 U
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英特爾今年稍早將Intel® StrataFlash® Cellular Memory 封裝改採無鹵素 (halogen-free) 技術。該公司正在評估CPU封裝採用無鹵素防火劑 (flame retardants)。
& `$ j4 m) N# p5 y9 c$ Z在英特爾倡導下,業界於1996 年達成協議,減少半導體生產排放的全球暖化氣體。現在英特爾也與歐盟 (EU) 合作,討論科技產業要如何幫助歐盟達成 2020年溫室效應氣體排放減量20% 的目標。  
$ Y! d: m& M8 B英特爾正致力於減少產品製程使用和浪費的天然資源。在過去3 年間,英特爾透過節約措施,減少用水量達90億加侖,也減少全球暖化氣體排放量,其總量相當於減少5萬輛行使中汽車的排放量。 9 K2 Z3 t# D2 Z+ U
英特爾已減少產品內使用之有害物質,化學藥劑和固體廢棄物回收再利用也達70%以上。 7 P! l; b) E5 \/ [, l& `6 W. k2 Z
英特爾將再生能源(renewable energy) 列為公司優先發展重點之一。英特爾是美國奧勒岡州最大的風力發電購買者,也是新墨西哥州最大的再生能源產業消費者。
0 n6 K) \$ }1 k隨著英特爾持續從 8吋 (200 毫米) 轉換到 12吋 (300 毫米) 晶圓,生產每一平方公分矽晶圓的耗水量即可減少約 40%。 7 p. u, S# X3 D. P( I7 B# i
美國環保署肯定英特爾的能源之星 (Energy Star*) 和員工通勤計畫成果。
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