電阻layout時的溫度係數關係

woo240

請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?
是這樣的，我現在正在做有關LAYOUT的專題，但是一遇到公式就不會
/ x& W/ d' B& i2 L8 q# n6 W老師給的PAPER中有給了TC與VC的公式
但怎麼想就是想不出怎麼推導出這式子

$ F1 ~0 K% Y9 h/ `! c+ \2 ~0 g此外再問個專業用詞的問題，請問：
Silicided poly與unsilicided poly翻成中文要怎麼說呢？
, F/ {. }* c# ]3 i' }6 F  R" O& d我查了很多的字典，跟線上翻譯，但都沒有結果
如果有layout上的達人請幫我一下
謝謝

m851055

Silicided poly...silicon targe poly
% I2 w2 j+ Q6 o6 I3 G, zunsilicided poly...unsilicon targe Poly
; w" {$ Q  R- Z7 X# Z& S, @
tc1 First-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc1r; 0 if no model is specified.)
' F+ y; w) |( V# `# H% Itc2 Second-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc2r; 0 if no model is specified.)
3 D* j# D* [: _vc1 voltage across the first capacitor
% }6 \+ R$ F& E3 i0 Zvc2 voltage across the second capacitor

  i0 s1 f7 y2 Q/ @6 S  T6 kA two-terminal resistor.
3 P, ~  D; _2 j+ o7 i5 d+ XThe resistance R is influenced by the temperature as follows:
" D. P) i! [1 G2 c7 h, o' IR = N (1 + AT + BT2)
. {  j" @* g3 w+ p5 G5 PT = Ta – Tn
where N, A, B are device parameters described below; Ta (the “ambient” temperature) is set by the
.temp command; and Tn (the “nominal” temperature)


8 E7 s) G4 J3 V# a* X6 Q8 G. yThis produces a resistor of resistance 30 kilohms at the nominal temperature tnom. If the temperature T
is different from tnom, the resistance is 30,000*(1+0.01*(T-tnom)+0.0001*(T-tnom)*(T-tnom)). For
* b3 `  q' t' Jexample, if the circuit temperature is 127 degrees and tnom is 27 degrees, the resistance is
5 ~( t* O3 E+ |1 L$ i. S30,000*(1+0.01*100+0.0001*100*100) = 90,000 Ohms.

[ 本帖最後由 m851055 於 2007-7-30 08:50 PM 編輯 ]

sjhor

電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!
' Q. K1 G1 \- w
與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電阻 layout 的住要原因吧!!!

m851055

原帖由 sjhor 於 2007-7-31 09:15 AM 發表
電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
' ?6 e7 ?) k) g像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!

與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電 ...

& e* t, T4 ^' k7 O$ ?' \( B2 N
N+ resistor to 12V，so voltage is understand.

woo240

感謝大家的回答，對我來說幫助很大
0 [) ^/ U/ K3 v% ito m851055:
' G/ L$ Q: F( W' ^; C　　請問這個例子用於.35製程也可以嗎?
      你說得我有一點了解了，3q

" \2 y6 t8 v& W# S5 R/ m請大家幫我看看以下的圖:

0 }/ F9 t5 N" t$ z& e
0 |$ H5 F$ F- o, K; G+ }這就是我所說的公式，老師給我的東西我都只是翻出來，但卻不懂
$ [, D$ X; }! E& \" |$ }. V就連例題也是懵懂懵懂，有找過書，但是並沒有看到這樣的公式，請大家指導指導
) D, `) |( [- i& m4 x9 n
[ 本帖最後由 woo240 於 2007-7-31 09:30 PM 編輯 ]

m851055

foundary 廠通用公式，一定可以用。

8 J- s% C" }- I$ u/ Q0 D另外你所貼的圖找半導體物理的書就有了，我以前也推導過(在大一時)，現在在業界都沒用過。
3 G" E2 h# u4 S: j+ |
還有你說"翻出來"不懂是甚麼意思。

sjhor

TC  和  VC 的物理定性公式是如此沒有錯!!

製程廠提供的 TC, TC^2, .....  VC, VC^2, ........
這些值都已經算出!!
. h& r. h1 h% Y0 U從圖中得知 TC=1000ppm, VC unkonw.  
但已經提示  VC 是 所有可用的電阻中  是最佳的  所以放心去用的意思吧!!

woo240

to m851055:
   我指的翻是把英文翻成中文的意思
   因為老師給的都是英文paper
3 x4 v1 I5 i; a% R+ B$ `7 b+ |
- |3 v' e0 P1 ^. C0 ^to sjhor:
     這是說以poly來話電阻的話VC是最低的是嗎?
* w. [8 Y7 H$ t% Q$ [     那如果以別的層次來畫VC是不是會不一樣?

sjhor

你可以看一下你使用的製程之 SPICE Model 或是他的 Electronic Design Rule
3 k- g* N0 y1 \+ v他們應該就會描述!!
- _- n8 N  x  W1 F你可以依你的需求來做判斷!!
因為製程的不同  這些也都會有所差異!!

& ]9 ~! j0 \3 b. R$ K6 W0 U每一種材料的電阻其  VC/TC 都不相同!!
9 X, |- |% B, t' d" N  C: C" R正系數或者是負係數  也有所差異!!
看製程廠給的資料比較準!!

[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-8-2 12:23 PM 編輯 ]

woo240

謝謝各位的幫忙
+ V! O! g& j+ Q% U  Q已經有了初步的了解了
這種東西自己找書真的會找到翻的