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提供一個之前用的方法, " M' j$ S3 c6 i0 [' s# |' X
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS): F, W1 ^; O2 ^9 q' R" d3 C
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
3 Z( }5 K) O* a6 H8 ]VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値1 i% ~2 v$ O% a; D7 P. r' ]
5 T# P% L+ t" _( d4 G8 x: R$ e
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
& K9 A1 D/ M8 C5 K3 R在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
# v6 x r* f" r! i! D由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
: H6 f" o9 U4 q8 i8 F故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1) I/ g2 @! g$ ^" ]6 f2 t1 r+ e
7 v0 c9 B7 j: z
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
5 t' F5 `$ @9 t ^3 V- B! ~& v! [KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
4 }8 g D0 p" L8 E4 p) i5 u& _: \ = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
2 B( |- r9 z- ^+ k5 z
- n8 Q- t* r; c3 H/ V之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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