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提供一個之前用的方法, ) n2 n: I0 H; ]) ?- V
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
9 D! g4 l0 s6 w# x: b) q& G( h在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,; e% ]/ f8 U! H& o7 I. o2 w$ ]
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値0 L1 y* S- c/ U9 Z! C# u, E, R) t
8 P5 p( V; I# f' |$ ~由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
+ U5 S- l6 N! e, _+ H在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]7 l G J7 K4 @
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
" k( x! J$ v o+ D2 Q1 G$ K; c故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)) _6 D* U. _. {- E
3 O4 O6 E t5 @& I! e/ K
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值7 y3 [: O( i5 ~6 T$ a$ b* D
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]0 k* U1 x5 Z3 [3 |$ H1 P3 ^6 t
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]9 Z; U8 A1 l( N1 i2 N& P4 ]
( G6 u' h& _8 L8 m' f
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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