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提供一個之前用的方法,
: \/ o0 E9 V" O5 G) q由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
$ l4 W ~# C# R在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
$ L: Z% r+ N* h s" G# i4 KVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
' |- O9 D: n1 g( q3 ]5 y% \) \; g( ?( c+ h( ^
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
/ O' m8 K# ?/ ?# M+ V. W在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
0 m. o% i1 _1 _+ F8 v% i由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)$ F& t1 i4 ]. f, ]$ ?$ M
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)2 |1 `; A7 C- @. ]$ |
4 z% |. j/ T7 j1 j9 Q E
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值* T. Y" K9 E9 W3 t+ f
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]9 O/ Z$ |6 {- {2 ]( M- T5 z
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
( m" v: s. \+ c2 ]; \; N, v) j S6 T( H6 i4 _2 u. A% C1 a. L" a- N6 R
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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