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提供一個之前用的方法, & O2 {) w/ G W7 R; A
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)" J* l' M6 R& ^% k& X& o
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,4 r2 d% K) F. X9 [5 g0 o+ p
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値9 S/ j% A0 g( O! o9 \
: w, E( {& Y' g由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
; P3 x, R* M6 D3 L0 h在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]0 J& M8 @/ q) \9 x
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
+ U, Z6 N$ r2 c; J6 {+ ~2 U故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
& g# ~$ j2 x0 ]9 A0 f1 [" Y" F" l% S7 M) L. W l
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
m% |2 B9 T4 w' s& v8 `KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
) h ?% H. C$ u( j# L1 T. U = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
# i/ i+ Z2 n5 k+ Q1 |- J2 g- {6 i1 L5 X% e3 ?6 u1 \
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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