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[問題求助] noise figure simulation problem

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1#
發表於 2007-9-10 14:41:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟最近在做元件的noise figure simulation  發現一個很奇怪的事情
$ H+ \+ m2 J, V      
( i9 k' W  ]$ v  P. Z1 b我使用的是0.18um的model card 跑的是RFNMOS6 k3 \( a; B0 e/ y8 `, h
其中core的部份所使用的是 bsim3 version=3.24的model
( j$ r5 X. ]$ W9 E, d' k% w" @令我不解的事情是 我使用ic 5.0.33與 ic 5.0.41所跑出來的結果不一樣3 w. }# m& f7 B( t8 J, s
從結果看來 應該是ic 5.0.33與 ic 5.0.41造成的, s6 V/ L/ G2 Q5 u* [
但是所算出來的noise figure不是由bsim3v3的model equation所決定的嗎??8 [- u) k# \: p+ s; q" C) E  n, Y& `
2 [9 x* [. F- ]1 W  `+ w
另外, 如果我使用ic 5.0.33
- z$ Q! _. y. |! |我在CDF中鍵入m=3 (即multiplier=3)       
2 s) _  t( Q* z* p3 M( X' E* d/ P跟我用m=1 自己手動拉三個mos的symbol出來% q5 L; |# x) U, `  C6 p
noise figure的結果也會不一樣 (其他如iv, spar都會一樣)
$ ]# y; L2 l, }/ G6 n, b9 e9 R" S  t! |( F5 O2 l3 }: Z! p9 l
7 n% B* m5 o& |; U" M8 a; O9 _: J
不知道有沒有人有類似的經驗可以分享
' d7 j2 z# Z  s3 i- M; }" Q感謝~~
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2#
發表於 2007-9-11 10:42:01 | 只看該作者
手拉和m=3當然不同,因為rf model為更精確的model,m=3之時,layout 會是3個mos一個gaurd-ring,手拉的話,則是3個mos各自有gaurd-ring,
$ d, h* z% [& }8 K. n當然不同.0 W# D( C. s  T! g
使用不同版本的simulator,會有不同的結果,沒有遇到過,不過要看你的設定是否因不同的版本而有所改變.
3#
 樓主| 發表於 2007-9-11 14:43:09 | 只看該作者
layout的時候 三個MOS用一個guard ring圍起來跟 個別的guard ring圍起來 的確會有不同沒錯! e% Q/ D. ^! m. L+ T4 J
     但是現在只是用model作simulation  它如何知道我要怎麼拉線( s& E, R: r  h) y& C0 o
     simulator(或者PDK)是怎麼控制讓它跑出來的結果不一樣呢??% w. P3 J9 t: {3 q

2 @+ z7 Q( H! G) Y5 n     至於版本的問題   我的整個模擬環境都沒有改變  單純只是版本的不一樣9 i: P2 f0 }+ Z' t* p/ ~; _/ j7 [
     不同的simulator跑出來的結果不一樣  還算正常" @5 K! t( ~7 L
     同一simulator不同版本的結果不同  雖然不是不可能  但是還是很想知道差異到底來自何處: e6 A$ V- \0 r
     我使用的是bsim3的model 照理講 模擬的結果應該是由bsim裡面的code來決定  不是這樣嗎??
9 N2 R2 \1 |) V" `0 r3 O, m6 q     (我指的是IV跟thermal noise or flicker noise等 model code裡面有宣告的方程式 非Spar)
4#
發表於 2007-9-21 11:16:16 | 只看該作者
PDK 的RF model是直接可以產生MOS的layout,所以RF PDK已經有考慮此一問題.
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