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[問題求助] 設計interdigital capacitor

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1#
發表於 2007-9-20 00:24:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
要怎麼設計interdigital(指插型) capacitor ?+ O7 O( |$ C4 ^+ a+ P
我找到一個公式,代進去和模擬出來有2pF的誤差,
9 }* |4 @. H8 j3 O+ W2 \2 B模擬的電容值我是看1MHz那一點的電容值為準!
( _" x2 W$ N8 H, U4 y* g
3 M7 G5 Z. z$ p有沒有任何更好的interdigital capaictor reference可以study !
+ I- U7 m, `& S# i0 H$ D% W- r2 {+ Nthanks all
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2#
發表於 2007-9-21 12:12:29 | 只看該作者
这个也不大懂,最近也碰到这样的问题。共同学习一下。
! I% {; ?& q4 ~, G  B0 F我碰到的是这种电容用在vco里,电压对电容的大小有调节作用的。/ r% A$ M5 B, K+ o# p* O/ x; V' ?3 E% Y
下面是找到的一个公式,是否有用?
' q% c* K  Q- m; u) t6 i
2 A+ h7 T) i2 t# _: J还有就是,是否这种电容的两端为黑色的两边,电容的大小仅跟距离相关吗,跟两端的电压没有关系?
  M) ~1 X% x7 l* `; N0 y7 T. n0 o这种电容如果是用最上层金属(如M4)做的,那么它的下面是不是会需要M3,M2也以同样的方式连接以确保较好的性能呢?

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3#
發表於 2008-5-26 16:39:37 | 只看該作者
以前遗留的问题,再顶起来,大家来讨论讨论!
4#
發表於 2008-5-26 16:42:09 | 只看該作者
TSMC90nm工艺似乎提供这种电容的model的,不知其他工艺下要用的话,如何自己建cell呢?
5#
發表於 2008-5-27 12:53:43 | 只看該作者
建議你在使用公式計算時,一定要參考製程廠所提供的design rule來計算
+ m/ H1 k* Y- q5 H9 m/ z, I因為若是用metal to metal的寄生電容,每一家的製程廠的metal的寄生電容都不一樣,而且不同層的metal to metal也不一樣
$ U& t# C/ H: K: ~/ y若沒有參考design rule,所計算出來的寄生電容的差距會頗大的
1 b9 y; h4 H! a' p而且,還要考慮到mask誤差的問題
3 i* \3 L' h# Z4 f" M# I4 J5 X另外,若很疑惑所計算出來的寄生電容值,建議你可以先用layout畫一個metal to metal 電容的cell,然後再抽LPE,看看所計算出來的寄生電容和筆算的誤差有多少,如此一來可以更精確地知道差距
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