請問TSMC 0.35的電阻畫法

louisli

請問各位LAYOUT高手:我目前是在研究類比電路的學生,但在劃電阻時碰到一些困難,就是在TSMC的電阻劃法上,不知道如何去佈局電阻的LAYOUT,還有要如何在LAYOUT的過程中,如何去考量電阻的阻值,是用電阻的公式算嗎? 謝謝!

小朱仔

原帖由 louisli 於 2007-9-21 12:05 PM 發表
- }4 B( M0 `! j: {+ j  i0 a謝謝大大的回覆,但想在請問大大說那那個晶圓廠提供的RS大小要從那裡可以得知這樣的訊息,謝謝!

# M: ~5 U4 Y  ]每個晶圓廠都有提供SPICE Model,SPICE Model內就會有提供Resistance Table,裡面會有sheet resistance,找看看吧~~

kokokiki

電阻的layout多使用一個方格是多少個阻抗,所以串N個方格,則阻值X N,但電阻不能串太多方格,則其L與W差太多,電阻
; C$ Q# a7 X2 s變化太大,其四週需要有dummy相同材質的電阻.

louisli

謝謝大大的回答,但我還想問的是大大所指的方格是指？ 還有大大所說的dummy可以用TSMC所提供的dummy嗎？謝謝!

louisli

在請問大大,剛在一些參考文獻中,所提到的電阻值的計算公式,R=RSXL/W,那RS所指的是指什麼？剛剛查到大大所說的方格是指L與W所構成的方格嗎？

ywliaob

RS 是接觸片電阻(sheet resistance) = 電阻係數x電阻厚度(深度)
通常晶圓廠會提供 RS 的大小 以方便使用者去設計所需的電阻
+ E) z8 u1 F, s  a- O& B/ m. S: RR=Rsx(L/W) 只要估算layout的L/W就可以知道電阻的大概值
& i# G, `) k6 O7 h1 w3 V/ c6 X# U5 X0 Xdummy 的需求是怕因為layout面積太大或太小 造成製程變異太大 所以需要加上dummy pattern
一般晶圓廠也會建議dummy pattern的畫法 但不一定要遵照

  A7 ~1 W5 \& a5 T
" r* M% w4 V  g; P; CPS: R=電阻係數 x(L/A)=電阻係數x(L/Wxt)
* H) z& G/ l% c4 j& O1 [     =(電阻係數/t)x(L/W)
  ~% @7 l, l, P: b6 k     =Rs x (L/W)
0 |- \. Z! i: B, g或者可以想成當L＝W時（方格)  R＝Rs
當10個方格連在一起 R＝10Rs

louisli

謝謝大大的回覆,但想在請問大大說那那個晶圓廠提供的RS大小要從那裡可以得知這樣的訊息,謝謝!

wlyi0928

TSMC 0.35 um 電阻的畫法嘛~~~
, P. @2 \  U/ U. a嗯嗯, 用POLY2吧, TSMC 0.35 process 看起來只有POLY2能認得到,
其實也不用去看SPICE Model,
只要看POLY2 design rule和Calibre LVS Command File就夠了,
) D1 o! v* t$ Z, W( }/ K先送個消息給您: POLY2的sheet resistance為50 ohm/square,
其它的最小width多少啦...etc...等等的資訊, 就請您找找Design Rule了, 裡面有寫, 我確定!!

一點點經驗, 希望對您有幫助!!

ywliaob

要有poly2 是要用mixed mode製程才有提供 一般製程沒有poly2可用
NW 跟 N+ 還有poly 不能用來當電阻嗎?

kokokiki

可以,但N+ P+ & NW 為且有junction的電阻,所以要考慮電阻之間距離及junction break-down 電壓的問題,poly1為
$ u8 \" m% v# l" _2 n$ ~非junction電阻,之間的距離,可以使用較小的rule,但其電阻較小.
0 w3 S7 j7 X7 w- `* `! M還有N+ P+ NW & poly材質均為半導電阻,所以其個別均有電壓及溫度效應造成使用之時的電阻變化,所以電阻值是會改變
" z; D" p% O9 H+ @" b+ d的喔....

Shouwei

有另外一個較快的方法，不過前提是您也是學校，然後有cic的權限
尋問工作站管理員，會有一種檔案名稱叫做pdk <<這只是關鍵字
然後可利用virtuoso將其引入，引入之後，叫出來的電阻、電容、電晶體，就是官方畫好的
那如何引入到laker呢？
& B8 w$ M' j, a, p4 O很簡單，只要利用virtuoso的export>stream，將叫出來的電阻or電容等等，一種一個檔的方式，output成gds2的檔案
再開啟laker import>stream 便可引入了，這是頗方便的小技巧，給您參考一下

louisli

謝謝大大的回答,但上一位大大所說的pdk不是只能在TSMC的0.18製程操作,據我所知TSMC的0.35製程,電阻.電容好像要自己畫上去說

Shouwei

原帖由 louisli 於 2007-10-3 01:09 PM 發表
6 y) x  J* j; V3 E! f謝謝大大的回答,但上一位大大所說的pdk不是只能在TSMC的0.18製程操作,據我所知TSMC的0.35製程,電阻.電容好像要自己畫上去說

- P+ V3 U8 s) b& B' ?$ n
7 _  I) M! U$ h: W8 b+ i我查一下我手上的documents好了XD
& a8 z3 y" u2 ]7 n# o可能真的是如您所說的，只有點18製程有
敝人當時的想法是想說點35跟點18一樣有PDK XD

" E& o  y. h8 X, R如果真的沒有的話，建議用POLY電阻，誤差比較小
3 V" q- ?$ h: |  {# `% ~# Z7 m不過相對的，阻值也比較低
) h7 T  g. B& a* n8 M) ^) ?LVS的檔案裡面應該都有定義
最好是把LVS都印出來慢慢K XD 這樣對實力的進步，有很大的幫助
在下也要開始學著K LVS的定義了。。。

yoyo20701

講的好詳細唷~~~本來不懂的問題現在大概知道囉~~多謝大大唷~
! _) k3 A7 u5 @  v9 g& }: D) B/ e% I" |多謝你的無私

dacas922

電阻用L型shap~會比較好嗎?怎麼感覺怪怪的~到底是哪裡出錯

markb

thank a lot!!!          受益良多！