國際會議探討CMOS變異性對半導體產業之衝擊

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2007年9月26日－代表英國及愛爾蘭半導體產業之貿易協會－國家微電子學會(NMI) 將與英國nanoCMOS 專案單位共同舉辦歐洲第一屆針對CMOS 變異性主題之國際會議。此會議將於倫敦醫師皇家學院於10月23 日舉行，其將結合代表整個半導體供應鏈的全球領導級公司及主要研究機構，共同分析變異性對半導體設計的深遠影響，並促進雙方合作。

NMI 執行長Derek Boyd表示：「隨著CMOS 變異性由設計鏈至應用面的前後延伸，整個業界都將深受影響。晶片設計者將需充分了解變異性對於系統設計的影響，而尤其是中小企業等各級公司，現在更必須以更前瞻的視野了解如何因應此議題。藉由提醒這些存在於業界的真實挑戰，我們希望鼓勵業界進一步合作，尋求解決方案。」

nanoCMOS 專案主席及此次會議之主題演講者Asen Asenov博士表示：「 相對於65奈米技術，45奈米及以下製程則存在具體變異性，其將對數位電路之良率、可靠性及功耗帶來不利影響。舉例而言，SRAM 已被認為是首要的潛在損害之ㄧ，其將對SoC 和其它產品具有嚴重的衝擊。」
他補充表示：「簡單地說，設計者將需要學會如何以不可靠的技術設計可靠的系統，工具提供者將需要從確定性轉換至一種更統計性的方法，而且由於設計餘裕持續降低，晶圓代工廠將需要從提供設計規則，轉變為提供設計模型。變異性是需要被充分關注的議題，而這正是此會議的目的。」
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+ {3 T' [+ h2 s# z- M' m+ [( M此會議將由Dr. Asenov以 "下世代CMOS 技術的變異性及其對設計之衝擊" 進行開場演說，之後並將進行四場主要議程:
議程1: ‘設計概念’ (IMEC、University of Manchester 及 STARC)
8 w0 M! c! L0 \議程2: ‘設計導入及工具’ (Mentor Graphics、Synopsys 及 Cadence)
' H- {2 Q' |$ r+ b6 \7 Z議程3: ‘半導體技術’ (IBM、Freescale 及台積電)
& `/ c1 M7 _% y# z5 i, c* O- L, s; K議程 4: ‘IP 研發’ (ARM)
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隨後將進行主題為“Integration and Collaboration in the Era of Design for Variability (DfV)”之小組研討。
  F7 S' p& S9 w8 ]7 z" y除主要會議外，與會代表將可參加兩場由Asenov博士所舉辦的輔助活動，以分享包含元件、電路及系統設計之多學科英國研究計畫之研究重點。其中，"迎接nano-CMOS 電子之材料挑戰" 議題將於10月22 日進行探討，其將總結材料塑造和電子元件模擬之研究。而於10月24 日，英國eScience 試驗計劃之"迎接nano-CMOS 電子之設計挑戰"則將提出針對致能TCAD 和ECD 元件模擬的多層次及柵格研發成果。相關資訊或報名洽詢，請參閱: www.nmi.org.uk/events/DFM_23102007.htm 或 email dfm@nmi.org.uk
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關於國家微電子學院（NMI, National Microelectronics Institute）:國家微電子學學院(NMI) 是代表英國和愛爾蘭之半導體產業之貿易協會。其目的在於以催化者及促進者之角色，針對商業和技術發展建立一堅強的半導體社群。NMI為非營利組織，成員涵蓋整個產業供應鏈，包括無晶圓半導體製造商、IDM 、晶圓代工廠、設計服務、IP 供應商、研究和學術機構等。
NMI之主要任務包括: 鼓勵創新、溝通及統合；代表微電子業界與政府、政策制定者及管理單位之溝通；支援技術研發、教育及訓練；協助提升營運效率及提供業界相關資訊等。網址: www.nmi.org.uk